膨胀
  • QQ征询

  • QQ在线-www.4688.com
  • 电话征询

  • 010-62106920-澳门金沙城中心娱乐场-6629ccom澳门金沙-金沙5wk网址
您当前地点的位置:首页 > 产物展现 > 署理产品线 > 富士通FRAM > 自力存储器(I2C/SPI/并行接口产物)
自力存储器(I2C/SPI/并行接口产物)
  FRAM是集合了ROM和RAM两种存储器的上风。擅于停止高速写入、具有少的历久力和低功耗。富士通半导体供应了接纳串行(I2C和SPI)和并行外设的FRAM产物,现在4Kb至4Mb的产物也已量产。
FRAM的上风
  取SRAM比拟
  自力的FRAM存储器,由于具有Pseudo-SRAM I/F,因而取SRAM之间具有的高度兼容性。应用FRAM庖代SRAM,您可以获得的上风以下:
  1. 总的成要缩减
  接纳SRAM,您需求检测其电池状况。然则FRAM却让您免除了停止电池检测的困扰。并且,FRAM不需要电池槽、防倒流二极管和更多的空间,而这些都是SRAM所需的。FRAM的单芯片解决方案能够节约空间和本钱。
  ● 保护自在;无需改换电池
  ● 缩小的器件尺寸;能够省去大量的器件
  2. 环保型产物(削减了情况肩负)
  用过的电池成为产业废物。正在生产过程中,取SRAM比拟,FRAM可以或许低落一半的CO2排放量。FRAM关于环保无益。
  ● 无烧毁电池
  ● 低落产业负荷,实现环保
  取E2PROM/闪存比拟
  取传统的非易失性存储器,如E2PROM和闪存比拟,FRAM具有更快的写入、更高历久力和更低功耗等上风。用FRAM庖代E2PROM和闪存借具有更多上风,详细以下:
  1. 机能提拔
  FRAM的高速写入可以或许正在电源中止的霎时备份数据。不仅如此,取E2PROM和闪存比拟,FRAM可以或许更频仍的纪录数据。当写入数据时,E2PROM和闪存需求高压,因而,消耗的功率比FRAM更多。若是嵌入FRAM,那么电池供电器件中的电池的寿命将更长。
  总之,FRAM具有以下上风:
  ● 可以或许正在电源中止的霎时备份数据
  ● 可以或许停止频仍的数据纪录
  ● 可以或许包管更长的电池寿命
  2. 总的本钱缩减
  正在为每一个产物写入出厂参数时,取E2PROM 和闪存比拟,FRAM能够缩减写入工夫。并且,FRAM能够为您供应一种芯片解决方案,制止接纳几个存储器去生存数据,而E2PROM却不克不及实现。因而,应用FRAM能够低落总成本!
  ● 当写入出厂参数时,收缩了写入工夫
  ● 减掉了产物上许多的部件
产物列表
  串行闪存
  I2C接口
  取天下尺度,I2C BUS完整兼容。应用两个端口,几个时钟(SCL)和串行数据(SDA)掌握每一个函数。
产口型号 存储器密度 电源电压 事情频次
(最大值)
工作温度 读取/写入
周期
包管数据
生存限期
封装
256Kbit 2.7 至 5.5V 1MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1万亿次) 10年 (+70℃) SOP-8

128Kbit 2.7 至 3.6V 400KHz -40 至 +85℃ 1012次 (1万亿次) 10年 (+85℃) SOP-8

64Kbit 2.7 至 3.6V 400KHz -40 至 +85℃ 1012次 (1万亿次) 10年 (+85℃) SOP-8

64Kbit 3.0 至 5.5V 400KHz -40 至 +85℃ 1012次 (1万亿次) 10年 (+85℃) SOP-8

16Kbit 2.7 至 3.6V 1MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1万亿次) 10年 (+85℃) SOP-8
SON-8

16Kbit 3.0 至 5.5V 1MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1万亿次) 10年 (+85℃) SOP-8
4Kbit 3.0 至 5.5V 1MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1万亿次) 10年 (+85℃) SOP-8
  SPI接口
  正在25MHz(最大值)频次下,实现了最大时钟机能速度。
产口型号 存储器密度 电源电压 事情频次
(最大值)
工作温度 读取/写入
周期
包管数据
生存限期
封装
2Mbit 1.8 to 2.7V 25MHz -40 to +85℃ 1013次 (10万亿次) 10年 (+85℃) SOP-8
DIP-8
2.7 to 3.6V 30MHz(*1)
1Mbit 1.8 to 2.7V 25MHz -40 至 +85℃ 1013次 (10万亿次) 10年 (+85℃) SOP-8
2.7 至 3.6V 25MHz(*1)

256Kbit 2.7 至 3.6V 25MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1万亿次) 10年 (+85℃) SOP-8
128Kbit 2.7 至 3.6V 25MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1万亿次) 10年 (+85℃) SOP-8
64Kbit 2.7 至 3.6V 20MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1万亿次) 10年 (+85℃) SOP-8
64Kbit 3.0 至 5.5V 20MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1万亿次) 10年 (+85℃) SOP-8
16Kbit 2.7 至 3.6V 20MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1万亿次) 10年 (+85℃) SOP-8
SON-8
  并行存储器
  能够像SRAM一样接纳并行读取和写入。不需要应用任何电池去生存数据。
产口型号 存储器密度 电源电压 事情频次
(最大值)
工作温度 读取/写入
周期
包管数据
生存限期
封装
4Mbit (512Kx8bit) 3.0 至 3.6V 150ns -40 至 +85℃ 1010次 (100亿次) 10年 (+55℃) TSOP-48
4Mbit (256Kx16bit) 3.0 至 3.6V 150ns -40 至 +85℃ 1010次 (100亿次) 10年 (+55℃) TSOP-48
1Mbit (128Kx8bit) 3.0 至 3.6V 150ns -40 至 +85℃ 1010次 (100亿次) 10年 (+55℃) TSOP-48
1Mbit (64Kx16bit) 3.0 至 3.6V 150ns -40 至 +85℃ 1010次 (100亿次) 10年 (+55℃) TSOP-48

256Kbit 2.7 至 3.6V 150ns -40 至 +85℃ 1010次 (100亿次) 10年 (+55℃) SOP-28
TSOP-28
FRAM产物阵列
  将来我们借将经由过程手艺去发来进步一些手艺规格,如事情电压和存取速度,并提供多种产物。富士通半导体可以或许应用别的公司不克不及供应的富士通独占手艺,供应普遍的零丁FRAM产物。
  4Kb至4Mb产物现已投入量产。

澳门金沙城中心娱乐场
版权所有 © 北京北方科讯电子技术有限公司 电话:+86-010-82637289
地点:北京市海淀区彩和坊路1+1大厦503室 邮编:100080
传真:+86-010-82638368 邮箱:Tony.xu@northelec.com