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富士通FRAM - 简介
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  FRAM(铁电存储器)具有像E2PROM一样的非易失性的上风 ,正在没有电源的状况下能够生存数据,用于数据存储。FRAM具有两个产物系列,串行接口(I2C,SPI)和并行接口产物。接纳串行I/F的FRAM能够用E2PROM或串行闪存去替代,而接纳并行I/F的产物能够用低功耗SRAM或Pseudo SRAM (PSRAM)去替代。
  富士通半导体集团掌握着FRAM的全部消费顺序;正在日本的芯片开辟和量产及组装顺序。富士通公司包管了FRAM产物的下质量和稳固供给。自从1999年最先,FRAM产物曾经一连供给12年以上,而且正在为很多客户供应所需的下可靠性。
PZT晶体结构和FRAM事情道理
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  ● 当加置电场时就会发生极化。(锆/钛离子正在晶体中向上或向下挪动)
  ● 纵然正在不加置电场的状况下,也能连结电极。
  ● 两个稳固的状况以"0"或"1"的情势存储
存储器分类中的FRAM
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上风
  取传统存储器比拟,FRAM具有以下上风:
  非易失性
  ● 纵然没有上电,也能够生存所存储的信息。
  ● 取SRAM比拟,无需后备电池(环保产物)
  更高速度写入
  ● 像SRAM一样,可掩盖写入
  ● 不要供改写下令
  ● 关于擦/写操纵,无等待时间
  ● 写入轮回工夫 =读取轮回工夫
  ● 写入工夫: E2PROM的1/30,000
  具有更高的读写耐久性
  ● 确保最大1012次轮回(100万亿轮回)/位的历久力
  ● 耐久性:凌驾100万次的 E2PROM
  具有更低的功耗
  ● 不要供接纳充电泵电路
  ● 功耗:低于1/400的E2PROM
  表1. FRAM和别的器件间规格差别的对照表
  表1. 与其它存储器产物比拟,FRAM的特性
  FRAM E2PROM Flash SRAM
存储器种别 非易失性 非易失性 非易失性 非易失性
晶胞构造*1 1T1C/2T2C 2T 1T 6T
数据改写要领 掩盖写入 擦除+写入 扇面擦除+写入 掩盖写入
写入轮回工夫 150ns*2 5ms 10μs 55ns
历久力 最大 1012(1万亿次轮回*3*2 106(100万次轮回) 105(10万次轮回) 无限制
写入操纵电流 5mA(典范值)*2
15mA(最大值)*2
5mA(最大值) 20mA(最大值) 8mA(典范值)
待机电流 5μA(典范值)*2
50μA(最大值)*2
2μA(最大值) 100μA(最大值) 0.7μA(典范值)
3μA(最大值)
富士通FRAM集成型产物
  自力存储器(I2C/SPI/并行接口产物)
  富士通半导体供应了自力的存储器,它具有FRAM的上风,包孕非易失性、高速读写、低功耗和更高的读写耐久性。您能够将其用于种种运用,如挪动装配,OA装备,数字电器和银行终端等。
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